晶体管类型:2 PNP(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA
电压 - 集射极击穿(最大值):40V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):200mV @ 5mA,50mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):150 @ 10mA,1V
功率 - 最大值:150mW
频率 - 跃迁:300MHz
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs